中科芯磁申请基于特殊码流的FPGA芯片SRAM结构测试方法及系统专利，可实现对FPGA芯片内部SRAM结构读写功能的全维度检测与异常筛选

国家知识产权局信息显示，中科芯磁科技（珠海）有限责任公司申请一项名为“基于特殊码流的FPGA芯片SRAM结构测试方法及系统”的专利，公开号CN122064545A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明涉及集成电路测试技术领域，基于特殊码流的FPGA芯片SRAM结构测试方法及系统，方法包括：获取待测试FPGA芯片、EDA工具及测试工装，基于所述待测试FPGA芯片及所述EDA工具构建最小资源RTL工程，对所述最小资源RTL工程执行编译生成操作，得到原始位流文件及目标掩码文件，利用所述测试工装将所述特殊码流文件下载至所述待测试FPGA芯片中，并通过所述EDA工具对所述待测试FPGA芯片执行数据回读操作，得到实际回读文件，利用所述目标掩码文件对所述实际回读文件进行掩码处理，得到掩码回读文件，将所述掩码回读文件与所述特殊码流文件所对应的测试码型进行逐位比对，得到比对检测结果。本发明可实现对FPGA芯片内部SRAM结构读写功能的全维度检测与异常筛选。

天眼查资料显示，中科芯磁科技（珠海）有限责任公司，成立于2021年，位于珠海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1895.3518万人民币。通过天眼查大数据分析，中科芯磁科技（珠海）有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可15个。